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天岳先进与国际半导体知名企业加强合作

           牛宝体育光电子商城7月5日消息:近日,碳化硅衬底厂商天岳先进表示,公司具备碳化硅衬底制备全流程核心关键技术,已与国际半导体知名企业加强合作,包括英飞凌、博世集团等全球知名企业。


           碳化硅单晶衬底材料是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高等优良的物理化学特性,是制备碳化硅电力电子器件、氮化镓微波功率器件和大功率高亮度LED的最佳衬底材料,属于高技术战略材料。


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           其中基于碳化硅衬底的氮化镓微波器件功率密度较砷化镓器件提高5倍以上,散热性能好,可以极大提高微波系统的功率,减小体积,已经在雷达等军事电子装备中得到批量应用,而且也是未来5G通信的核心微波器件。碳化硅电力电子器件导通电阻比硅器件低1000倍左右,可大幅降低电力损耗,开关速度比硅器件高100倍左右,功率密度大幅度提升,在新能源汽车、光伏逆变、电力机车、高压速变电等领域有广阔的应用前景。


            SiC半导体应用发展进入快车道,特别是在高压高功率领域优势更加凸显,新的应用场景不断涌现。在市场需求爆发的背景下,SiC的供需缺口也较大。


            未来,公司持续加大研发力度,在晶体生长和缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验,不断突破技术瓶颈,提高产品良率。